Izvēlieties savu valsti vai reģionu.

Close
Ielogoties Reģistrēties E-pasts:Info@infinite-electronic.hk
0 Item(s)

ON pievieno SiC MOSFETs

ON Semiconductor ir ieviesis divus SiC MOSFET, kas paredzēti lietojumprogrammām, saules un UPS.

Rūpnieciskās klases NTHL080N120SC1 un AEC-Q101 automobiļa klases NVHL080N120SC1 papildina  SiC diodes un SiC vadītāji, ierīces simulācijas rīki, SPICE modeļi un lietojumprogrammas informācija.

ON ir 1200 volti (V), 80 milliohm (mΩ), SiC MOSFETs nodrošina zemu noplūdes strāvu, ātru iekšējo diodi ar zemu apgrieztās atgūšanas uzlādi, kas nodrošina strauju jaudas zudumu samazināšanu un atbalsta augstāku frekvenču darbību un lielāku jaudas blīvumu un zemu Eon. un izslēgšana / ātra ieslēgšana un izslēgšana kombinācijā ar zemu priekšējo spriegumu, lai samazinātu kopējo enerģijas zudumu un līdz ar to arī dzesēšanas prasības.


Zema ierīces kapacitāte atbalsta iespēju pārslēgties uz ļoti augstām frekvencēm, kas samazina traucējošos EMI jautājumus; Tikmēr lielāks pieaugums, lavīnu spēja un izturība pret īssavienojumiem palielina vispārējo izturību, nodrošina lielāku uzticamību un ilgāku kopējo dzīves ilgumu.

Vēl viens SIC MOSFET ierīču ieguvums ir izbeigšanas struktūra, kas palielina uzticamību un izturību un uzlabo darbības stabilitāti.

NVHL080N120SC1 ir konstruēts tā, lai izturētu lielas pārsprieguma strāvas un piedāvā augstu lavīnu un izturību pret īssavienojumiem.

MOSFET un citu piedāvāto SiC ierīču AEC-Q101 kvalifikācija nodrošina to, ka tos var pilnībā izmantot, palielinoties to transportlīdzekļu lietojumprogrammu skaita pieaugumam, kas rodas pieaugošā elektroniskā satura un elektropārvades elektrifikācijas rezultātā.

Maksimālā darba temperatūra 175 ° C uzlabo piemērotību izmantošanai automobiļu projektos, kā arī citos mērķa lietojumos, kur augsts blīvums un telpas ierobežojumi palielina tipisku apkārtējās vides temperatūru.